IRF3415STRPBF-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N型晶体管,采用Trench工艺制造,适用于电动车电机控制器、太阳能光伏逆变器、工业自动化设备等领域。TO263;N—Channel沟道,150V;45A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=4~6V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF3415STRPBF-VB
- 商品编号
- C18212465
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
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