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IPD60R3K3C6-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD60R3K3C6-VB

1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD60R3K3C6-VB
商品编号
C18212470
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.418克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))2.1Ω@10V,3.1A
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)1.417nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)177pF

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