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FCD600N60Z-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单NMOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于各种电源和功率控制应用。TO252；N—Channel沟道,650V；9A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FCD600N60Z-VB
- 商品编号
- C18212487
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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