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IRF9Z24NSPBF-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:35A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF9Z24NSPBF-VB
商品编号
C18212476
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
2.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V；60mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)1.65nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+100℃
类型P沟道
输出电容(Coss)200pF

数据手册PDF

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