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RSR025P03TL-VB实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RSR025P03TL-VB

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: RSR025P03TL-VB
商品编号: C18212480
商品封装: SOT-23(TO-236)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.017克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	5.6A
	导通电阻(RDS(on))	46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	2.5W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

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