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FW360-TL-E-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:2.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种应用场景，为电路设计提供了灵活的解决方案。SOP8；N+P—Channel沟道；±100V；2.2/-1.9A；RDS(ON)=240/490mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5/-1~3/-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FW360-TL-E-VB
- 商品编号
- C18212500
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@4.5V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
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