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STD3NK60Z-1-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于小功率电源、电动车辆、智能家居设备等领域。TO251；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STD3NK60Z-1-VB商品编号
C18212503商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3Ω@10V |
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