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F3710S-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- F3710S-VB
- 商品编号
- C18212512
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 进行 100% Rg 测试
- 进行 100% UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑