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FDC6561AN-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.8A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于小功率和低电流的应用场景。SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDC6561AN-VB商品编号
C18212518商品封装
SOT-23-6包装方式
编带
商品毛重
0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@4.5V |
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