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FDFS6N548-NL-VB
N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDFS6N548-NL-VB
- 商品编号
- C18212497
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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