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AP9938GEM-HF-VB
N沟道 耐压:20V 电流:7.1A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9938GEM-HF-VB
- 商品编号
- C18212482
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V；26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 提供卷带包装的表面贴装形式
- 动态 dV/dt 额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 快速开关
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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