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IRFZ24NSPBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性，适用于多种领域的功率电子应用，可满足不同应用场景的需求。TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFZ24NSPBF-VB
商品编号
C18212478
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
3.505克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V,40A
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@5V
输入电容(Ciss)3nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1nF

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