AP4409AGEM-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:13.5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于电源管理模块、电动车辆(EV)、混合动力车辆(HEV)和电动自行车(e-bike)中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-13.5A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.4~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP4409AGEM-VB
- 商品编号
- C18212475
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V;15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V;29.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
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