STP80NF06-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP80NF06-VB
- 商品编号
- C18212460
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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