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IPD068N10N3G(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:90A
- 描述
- 特性：VDS(V) = 100V。 ID = 90A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ (VGS = 10V)。 出色的栅极电荷 x RDS(ON) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(ON)。 175℃工作温度。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPD068N10N3G(UMW)
- 商品编号
- C18208538
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.672679克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 646pF |
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