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IPB065N10N3G(UMW)
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 描述
- 特性：VDS(V) = 100V。 ID = 80A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.2mΩ (VGS = 10V)。 非常适合高频开关和同步整流。 极低的导通电阻RDS(ON)。 175℃工作温度。 无铅引脚电镀。 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（FOM）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPB065N10N3G(UMW)
- 商品编号
- C18209207
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@90uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 646pF |
优惠活动
购买数量
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