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FDP8D5N10C(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:76A
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- 描述
- 此N沟道MV MOSFET采用经过优化的工艺生产，可将导通电阻降至最低，同时凭借一流的软体二极管保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDP8D5N10C(UMW)
- 商品编号
- C18209205
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.01nF |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用经过优化的工艺制造，旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，并具备业内领先的软体二极管特性。
商品特性
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 漏源电压 V_DS = 100V
- 漏极电流 I_D = 76A
- 导通电阻 R_DS(ON) < 8.5mΩ (栅源电压 V_GS = 10V)