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IPP045N10N3G(UMW)
1个N沟道 耐压:100V 电流:137A
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- 描述
- 特性：VDS(V) = 100V。 ID = 137A。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。 非常适合高频开关和同步整流。 极低的导通电阻RDS(ON)。 175℃工作温度。 无铅镀铅。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPP045N10N3G(UMW)
- 商品编号
- C18209203
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.21nF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 漏极电流(ID) = 137 A
- 导通电阻(RDS(ON)) < 4.5 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
- 适用于高频开关和同步整流
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达175 °C
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS标准
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器