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FDP045N10A(UMW)
1个N沟道 耐压:100V 电流:164A
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- 描述
- 特性：采用特殊工艺生产，旨在最小化导通电阻并保持出色的开关性能。 VDS(V) = 100V。 ID = 100A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.8mΩ (VGS = 10V)。 高功率和高电流处理能力。 高性能沟道技术可实现极低的Rps(on)。 符合RoHS标准。 快速开关速度。 低栅极电荷，QG = 54nC（典型值）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDP045N10A(UMW)
- 商品编号
- C18209204
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8882克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 164A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.23nF |
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