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IRFB4310Z(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅。 无卤
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRFB4310Z(UMW)
- 商品编号
- C18209202
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.881克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@150uA；4V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
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