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IRF100B201(UMW)
1个N沟道 耐压:100V 电流:192A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=100V。 Ip=192A。 RDS(ON)<4.2mΩ(VGS=10V)。 无铅，符合RoHS标准，无卤。 增强型体二极管dV/dt和dI/dt能力。 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。 全特性化电容和雪崩安全工作区
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF100B201(UMW)
- 商品编号
- C18209201
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8884克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 192A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,115A | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 255nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 660pF |
优惠活动
购买数量
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