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IRFB4110(UMW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFB4110(UMW)

耐压:100V 电流:120A

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描述
特性:VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准,无卤
商品型号
IRFB4110(UMW)
商品编号
C18209200
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8916克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)370W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)210nC
输入电容(Ciss)9.62nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)670pF

数据手册PDF