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TM50N06YS
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- N沟道,60V,50A,12mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM50N06YS
- 商品编号
- C18186744
- 商品封装
- TO-251S-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.5925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.798nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
20P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 20P03符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 50 A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 12mΩ(典型值)
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)