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TMG60N10P
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
- 描述
- N沟道,100V,60A,13.8mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMG60N10P
- 商品编号
- C18186746
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 基于最大允许结温计算连续电流
- 重复额定值；脉冲宽度受最大结温限制
- Pd 基于最大结温，使用结壳热阻计算
- RθJA 值是在器件安装在 1 平方英寸、2 盎司铜的 FR - 4 板上，在静止空气环境（Ta = 25°C）中测量的
- VDD = 50 V，VGS = 10 V，L = 0.3 mH，起始 Tj = 25°C