TM50N03YS
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道,30V,50A,7.6mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM50N03YS
- 商品编号
- C18186745
- 商品封装
- TO-251S-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 142pF |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- VDS = 30V,ID = 50A
- RDS(ON) = 7.6mΩ(典型值),VGS = 10V 时
- 经过 100% 非钳位感性负载(UIS)测试
- 经过 100% 栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)
