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NCEP30T12G
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- N沟道，30V，120A，1.95mΩ
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP30T12G
- 商品编号
- C181920
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
这款双 N 沟道 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化 2.5 V 栅源电压下的漏源导通电阻。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 120A
- RDS(ON) = 1.95mΩ(典型值)@ VGS=10V
- RDS(ON) = 2.85mΩ(典型值)@ VGS=4.5V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流