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NCE65T540I
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65T540I
- 商品编号
- C181927
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF@480V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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