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NCE01H21T
1个N沟道 耐压:100V 电流:210A
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- 描述
- NMOS，100V/210A，RDS=3.1mR；标称72V电池无刷控制器专用（性价比高）。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01H21T
- 商品编号
- C181936
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 377nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 811pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.061nF |
商品概述
NCEP40T11G采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 110 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 2.4 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 3.3 mΩ（典型值）
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）表现出色
- 极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 工作温度可达150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%经过单脉冲雪崩测试（UIS）
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流应用