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NCEP60T12A
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- NCEP60T12A采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP60T12A
- 商品编号
- C181952
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
UTC 75N75是N沟道增强型功率场效应晶体管，具有稳定的关态特性、快速的开关速度和低热阻，通常用于电信和计算机应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 40 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 11 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值117 nC）
- 快速开关能力
- 低反向传输电容（CRSS = 典型值240 pF）
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性
应用领域
-电信-计算机
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