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RU30P3B
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- P沟道,-30V,-3.5A
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU30P3B
- 商品编号
- C181988
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 30V/-3.5A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 80 mΩ（典型值）
- 低导通电阻
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 负载开关