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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP40T11G

1个N沟道 耐压:40V 电流:110A

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描述
N沟道,40V,110A,2.4mΩ@10V
商品型号
NCEP40T11G
商品编号
C182465
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.166克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)4.2nF
反向传输电容(Crss)78pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1nF

商品概述

NCE85H21C采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于汽车应用及其他多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 40 V,ID = 110 A
  • RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值),@ VGS=10V
  • RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值),@ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度150 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF