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NCEP40T11G
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 描述
- N沟道,40V,110A,2.4mΩ@10V
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40T11G
- 商品编号
- C182465
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@4.5V,55A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
NCE85H21C采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于汽车应用及其他多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = 85V，漏极电流 = 210A
- 当栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 4.95 mΩ
- 具有高雪崩能量，稳定性和一致性良好
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电能力
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
- 采用出色的封装，散热性能良好
应用领域
-汽车应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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