温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE65T1K2I
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。这款超级结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65T1K2I
- 商品编号
- C181922
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 304pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个75个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单