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10N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 10N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10N06符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10N06
- 商品编号
- C18164384
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1881克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
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