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2319
1个P沟道 耐压:40V 电流:4A
- 描述
- 2319 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2319 符合 RoHS 标准，是经过全面功能可靠性认证的绿色产品。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2319
- 商品编号
- C18164392
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
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