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S8N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.5A
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- 描述
- S8N10 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。S8N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S8N10
- 商品编号
- C18164397
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1654克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28.9pF |
商品概述
50N06是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 绿色环保器件
- 超低栅极
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）