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20N06
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 100% 保证通过 EAS 测试
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 漏源击穿电压(Bvdss):60V
- 导通电阻(Rdson):25mΩ
- 漏极电流(ID):20A
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理