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50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 50N06
- 商品编号
- C18164387
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
AONR21321-MS采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -50 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 为无铅产品
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理