20P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 20P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。20P03符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 20P03
- 商品编号
- C18164391
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
9435A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 9435A符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术
