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65N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

65N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:65A

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描述
65N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。65N06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
65N06
商品编号
C18164388
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.46544克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))8.2mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)2.873nF
反向传输电容(Crss)205pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)252pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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    (2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个2500个/圆盘

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