温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMU6015
150V N沟道MOSFET
- 描述
- 6015采用了独特优化的沟槽MOSFET技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU6015
- 商品编号
- C17702029
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.577813克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
CMH50N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用