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CMSC7452
1个N沟道 电流:5.5A
- 描述
- CMSC7452将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC7452
- 商品编号
- C17702035
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
3N50M采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高效电源
- 次级同步整流器