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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.5nF |
商品概述
CMSA5950A采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管。
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
-逆变器-电机驱动-DC/DC转换器
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