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CMU75P02
P沟道20V（D-S）MOSFET
- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU75P02
- 商品编号
- C17702475
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.576563克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@2.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 65pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
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