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CMU50N10
100V N沟道MOSFET
- 描述
- 50N10采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU50N10
- 商品编号
- C17702036
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.57625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |