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CMSA3606
1个N沟道+1个P沟道
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- 描述
- CMSA3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA3606
- 商品编号
- C17702033
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 60V、111A，RDS(ON)（典型值）= 2.3 mΩ @ VGS = 10 V
- 可靠耐用
- 开关速度快
- 有环保型器件可选
- 100%保证抗雪崩能力
应用领域
- 高频开关与同步应用
- DC/DC转换器