温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMU5941
-100V，P沟道硅MOSFET
- 描述
- 5941采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU5941
- 商品编号
- C17702028
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.573438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
CMB5970采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
-逆变器-电机驱动-直流/直流转换器