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MGZ18N65
650V GaN FET 增强模式
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- 描述
- Qg:8nC Qrr:40nC
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MGZ18N65
- 商品编号
- C17702019
- 商品封装
- DFN8x8-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.318克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 598pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |