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NCE6045XG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE6045XG

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

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描述
NCE6045XG采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE6045XG
商品编号
C17702026
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@30V
输入电容(Ciss)2.75nF@30V
反向传输电容(Crss)152pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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