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8N60KL-MT-TF3T-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

8N60KL-MT-TF3T-T

1个N沟道 耐压:600V 电流:8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
N沟道,600V,8A
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
8N60KL-MT-TF3T-T
商品编号
C171511
商品封装
TO-220F3​
包装方式
管装
商品毛重
2.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V,4.0A
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@1V
输入电容(Ciss)1.255nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)135pF

商品概述

UTC 8N60K-MT是一款高压、大电流功率MOSFET,具备快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性等优良性能。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效直流-直流转换器和桥式电路等高速开关应用场景。

商品特性

  • 当VGS = 10V、ID = 4.0A时,RDS(ON) < 1.2Ω
  • 快速开关能力
  • 规定雪崩能量
  • 改善dv/dt能力,高耐用性

应用领域

  • 电源
  • PWM电机控制
  • 高效直流-直流转换器
  • 桥式电路

数据手册PDF