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3N80L-TF1-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

3N80L-TF1-T

1个N沟道 耐压:800V 电流:3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
N沟道,800V,3A
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
3N80L-TF1-T
商品编号
C171541
商品封装
TO-220F1​
包装方式
管装
商品毛重
2.78克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))4.2Ω@10V,1.5A
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)485pF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)57pF

商品概述

NCE80H16采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 80V,漏极电流(ID) = 160A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 4.7 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 散热性能出色的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 汽车应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF